Вверх

Гудзев Валерий Владимирович

к.ф.-м.н., доцент каф. МНЭЛ

Тема диссертации: " Исследование глубоких энергетических уровней в барьерных структурах на основе кристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния"


Список основных научных публикаций:

1. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В., Клочков А.Я. Глубокие уровни в диодах Шоттки на основе силицида платины // Вестник РГРТУ. Индекс №36203. Рязань, РГРТУ, №3 (выпуск 25), 2008. С. 76-79.

2. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия полупроводниковых микро- и наноструктур // Вестник РГРТУ. №4 (выпуск 30). Индекс №36203. Рязань. 2009. С.62-70.

3. Гришанкина Н.В., Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Рыбин Н.Б. Исследование диодных структур на основе Si И a-Si:H методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней в режимах эмиссии и захвата // Вестник РГРТУ. № 3 (выпуск 37). Рязань, 2011. С. 72-80. Индекс журнала - 36203.

4. Литвинов В.Г., Шубаркин В.О., Гудзев В.В. Измерительно-аналитический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур для фотоэлектрических преобразователей. Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2017 сборник трудов II Международной научно-технической и научно-методической конференции: в 8 т.. Рязанский государственный радиотехнический университет. 2017. С. 174-177.

5. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния. Радиотехника. 2017. № 5. С. 186-192.

6. Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г., Маслов А.Д., Мишустин В.Г., Толкач Н.М., Холомина Т.А. Развитие методов исследования полупроводниковых материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2017. № 60. С. 164-170.

7. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование глубоких уровней в барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Современные технологии в науке и образовании – СТНО-2016 сб. тр. междунар. науч.-техн. и науч.-метод. конф.: в 4 томах. Рязанский государственный радиотехнический университет ; под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2016. С. 259-263.

8. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Кусакин Д.С. Измерительно-аналитический комплекс для диагностики полупроводниковых микро- и наноструктур. Современные технологии в науке и образовании – СТНО-2016 сб. тр. междунар. науч.-техн. и науч.-метод. конф.: в 4 томах. Рязанский государственный радиотехнический университет ; под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2016. С. 263-267.

9. Litvinov V.G., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V., Mishustin V.G., Karabanov S.M., Vikhrov S.P., Karabanov A.S. Measuring complex for analysis of recombination deep traps in semiconductor solar cells. Proceedings of the IEEE International Conference on Industrial Technology Сер. "2015 IEEE International Conference on Industrial Technology, ICIT 2015" 2015. С. 1071-1074.

10. Гудзев В.В., Шилин А.В. Снижение токсичности процесса пробоподготовки биообъектов для исследований в растровом электронном микроскопе атомно-силовом. Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения сборник тезисов докладов IV международной научно-практической конференции. 2015. С. 37-38.

11. Шилин А.В., Гудзев В.В. Идентификация и исследование высокодисперсной пыли в производственных помещениях. Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения сборник тезисов докладов IV международной научно-практической конференции. 2015. С. 60-62.

12. Гудзев В.В., Зубков М.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных структурах с неоднородным легированием базы. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2015. № 52. С. 163-168. 13. Vishnyakov N.V., Vikhrov S.P., Mishustin V.G., Almazov D.V., Litvinov V.G., Gudzev V.V. The measurement of electric field distribution in the barrier structures based on disordered semiconductors. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2015. Т. 9. № 6. С. 773-777. 14. Панютина Ю.А., Гудзев В.В. Исследование поверхности пленок пористого кремния сформированных методом анодного электрохимического травления. Диагностика наноматериалов и наноструктур Труды VII всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению. 2014. С. 197-198.

15. Трегулов В.В., Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Толкач Н.М. Структура поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролите на основе HF с добавкой KMNO 4. Нано- и микросистемная техника. 2014. № 11. С. 16-19.

16. Авачев А.П., Авачева Т.Г., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Мальцев М.В., Рыбин Н.Б. Исследование состава и толщины пленок Ge–Sb–Te с помощью рентгеновского анализа и атомно-силовой микроскопии. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2013. № 4-3 (46). С. 79-82.

17. Гудзев В.В., Зубков М.В., Литвинов В.Г. Особенности определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов в полупроводниковых барьерных структурах. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2012. № 40. С. 75-79.

18. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Вестник Рязанского государственного университета им. С.А. Есенина. 2012. № 34. С. 157-166.

19. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Зубков М.В., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниковых барьерных структурах и устройство для его осуществления. Патент на изобретение RUS 2431216 15.06.2010.

20. Гудзев В.В., Зубков М.В., Юлкин А.В. Программно-аналитическая база данных релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2011. № 36. С. 75.

21. Гришанкина Н.В., Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Рыбин Н.Б. Исследование диодных структур на основе Si и a-Si:H методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней в режимах эмиссии и захвата. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2011. № 37. С. 72-80.

22. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и ее применение для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники. Датчики и системы. 2009. № 9. С. 71-78.

23. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия полупроводниковых микро- и наноструктур. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 30. С. 62-70.

24. Авачев А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 4. С. 46.

25. Холомина Т.А., Зубков М.В., Кострюков С.А., Гудзев В.В. Активационно-дрейфовая модель П.Т. Орешкина - основа изучения параметров глубоких центров в барьерных структурах. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № S30. С. 34-39.

26. Авачёв А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № S30. С. 46-52.

27. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В., Клочков А.Я. Глубокие уровни в диодах шоттки на основе силицида платины. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2008. № 25. С. 76-80.

4. Литвинов В.Г., Шубаркин В.О., Гудзев В.В. Измерительно-аналитический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур для фотоэлектрических преобразователей. Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2017 сборник трудов II Международной научно-технической и научно-методической конференции: в 8 т.. Рязанский государственный радиотехнический университет. 2017. С. 174-177.

5. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния

Радиотехника. 2017. № 5. С. 186-192.

6. Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Ермачихин А.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г., Маслов А.Д., Мишустин В.Г., Толкач Н.М., Холомина Т.А. Развитие методов исследования полупроводниковых материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2017. № 60. С. 164-170.

7. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование глубоких уровней в барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Современные технологии в науке и образовании – СТНО-2016 сб. тр. междунар. науч.-техн. и науч.-метод. конф.: в 4 томах. Рязанский государственный радиотехнический университет ; под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2016. С. 259-263.

8. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Кусакин Д.С. Измерительно-аналитический комплекс для диагностики полупроводниковых микро- и наноструктур. Современные технологии в науке и образовании – СТНО-2016 сб. тр. междунар. науч.-техн. и науч.-метод. конф.: в 4 томах. Рязанский государственный радиотехнический университет ; под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2016. С. 263-267.

9. Litvinov V.G., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V., Mishustin V.G., Karabanov S.M., Vikhrov S.P., Karabanov A.S. Measuring complex for analysis of recombination deep traps in semiconductor solar cells. Proceedings of the IEEE International Conference on Industrial Technology Сер. "2015 IEEE International Conference on Industrial Technology, ICIT 2015" 2015. С. 1071-1074.

10. Гудзев В.В., Шилин А.В. Снижение токсичности процесса пробоподготовки биообъектов для исследований в растровом электронном микроскопе атомно-силовом. Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения сборник тезисов докладов IV международной научно-практической конференции. 2015. С. 37-38.

11. Шилин А.В., Гудзев В.В. Идентификация и исследование высокодисперсной пыли в производственных помещениях. Обеспечение комплексной безопасности предприятий: проблемы и решения сборник тезисов докладов IV международной научно-практической конференции. 2015. С. 60-62.

12. Гудзев В.В., Зубков М.В., Кусакин Д.С., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых барьерных структурах с неоднородным легированием базы. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2015. № 52. С. 163-168.

13. Vishnyakov N.V., Vikhrov S.P., Mishustin V.G., Almazov D.V., Litvinov V.G., Gudzev V.V. The measurement of electric field distribution in the barrier structures based on disordered semiconductors. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2015. Т. 9. № 6. С. 773-777.

14. Панютина Ю.А., Гудзев В.В. Исследование поверхности   пленок пористого кремния сформированных методом анодного электрохимического травления. Диагностика наноматериалов и наноструктур Труды VII всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению. 2014. С. 197-198.

15. Трегулов В.В., Гудзев В.В., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Толкач Н.М. Структура поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролите на основе HF с добавкой KMNO 4. Нано- и микросистемная техника. 2014. № 11. С. 16-19.

16. Авачев А.П., Авачева Т.Г., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Гудзев В.В., Мальцев М.В., Рыбин Н.Б. Исследование состава и толщины пленок Ge–Sb–Te с помощью рентгеновского анализа и атомно-силовой микроскопии. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2013. № 4-3 (46). С. 79-82.

17. Гудзев В.В., Зубков М.В., Литвинов В.Г. Особенности определения энергии ионизации равномерно распределенных дефектов в полупроводниковых барьерных структурах. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2012. № 40. С. 75-79.

18. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Вестник Рязанского государственного университета им. С.А. Есенина. 2012. № 34. С. 157-166.

19. Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Зубков М.В., Литвинов В.Г. Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниковых барьерных структурах и устройство для его осуществления. Патент на изобретение RUS 2431216 15.06.2010

20. Гудзев В.В., Зубков М.В., Юлкин А.В. Программно-аналитическая база данных релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2011. № 36. С. 75.

21. Гришанкина Н.В., Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Рыбин Н.Б. Исследование диодных структур на основе Si и a-Si:H методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней в режимах эмиссии и захвата. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2011. № 37. С. 72-80.

22. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и ее применение для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники. Датчики и системы. 2009. № 9. С. 71-78.

23. Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. Релаксационная спектроскопия полупроводниковых микро- и наноструктур

Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 30. С. 62-70.

24. Авачев А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № 4. С. 46.

25. Холомина Т.А., Зубков М.В., Кострюков С.А., Гудзев В.В. Активационно-дрейфовая модель П.Т. Орешкина - основа изучения параметров глубоких центров в барьерных структурах. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № S30. С. 34-39.

26. Авачёв А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2009. № S30. С. 46-52.

27. Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Зубков М.В., Клочков А.Я. Глубокие уровни в диодах шоттки на основе силицида платины. Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2008. № 25. С. 76-80.

Рязанский государственный радиотехнический университет - Гудзев Валерий Владимирович