Вверх

Мишустин Владислав Геннадьевич

F Mishustinк.ф.-м.н., доцент

Основные научные интересы: контактные явления в неупорядоченных и наноструктурированных полупроводниках; методы исследования барьерных структур; солнечные элементы.

Читаемые курсы:
• Физика конденсированного состояния 
• Материалы электронной техники

Специальность: высшее образование по специальности «Полупроводники и диэлектрики», специализация «Микроэлектроника», квалификация инженер электронной техники.

Повышение квалификации:

  • Обучение на VIII Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых «Диагностика наноматериалов и наноструктур», приказ ректора РГРТУ№ 574/2 от 13.10.2015г.
  • «Использование средств информационных и коммуникационных технологий при реализации образовательных программ. Интерактивные сервисы сети интернет в образовании»,  24 часа, ФГБОУ ВО РГРТУ, удостоверение ПК № 0250283 от 03.06.2017 г.

Стаж работы:
                   по специальности - 20 лет,
                   общий - 20 лет.

Наиболее значимые публикации:

1. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Анализ и уточнение математического аппарата для модифицированного времяпролетного метода // Физика и техника полупроводников, 2002. Т. 36. Вып. 4. С. 433 - 436.

2. S.P. Vikhrov, N.V. Vishnyakov, V.G. Mishustin et al. Speciality of Poisson equation solution and calculation of barrier profile on the interface to non-crystalline semiconductor // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2003. Vol. 5. No. 5. P. 1249 - 1254.

3. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // Патент РФ № 2229755. 2004.

4. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках // Физика и техника полупроводников, 2005.

5. Алпатов А.В., Верин И.А., Вихров С.П., Вишняков Н.В., Кострюков С.А., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в фотоэлектрических датчиках на основе наноструктурированных неупорядоченных полупроводников // Вестник РГРТУ. №4 (выпуск 30). Индекс №36203. Рязань. 2009. С.58-62.

6. Авачёв А.П., Вихров С.П., Мишустин В.Г. и др. Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных нелегированных полупроводниках // Патент РФ № 2392688. 2010.

7. Бодягин Н.В., Вихров С.П., Мишустин В.Г. и др. Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных и наноструктурированных полупроводников // Радиотехника, №3, 2012. С. 81 – 88.

8. N.V. Vishnyakov, S.P. Vikhrov, V.G. Mishustin et.al. The measurement of electric field distribution in the barrier structures based on disordered semi-conductors by using the transient photocurrent compensation method // Journal of nanoelectronics and optoelectronics, Vol. 9, No. 6. 773 – 777, 2014.

9. V.G. Litvinov, N.V. Vishnyakov, V.G. Mishustin et. al. Measuring complex for analysis of recombination deep traps in semiconductor solar cells // USB Proceedings 2015 IEEE ICIT, Seville, Spain, 17 – 19 March 2015, 1071 – 1074.

10. Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, В.Г. Мишустин и др. Развитие методов исследования полупроводниковых материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники // Вестник РГРТУ. 2017. № 60. С. 164 – 170.


Награды: лучший ассистент РГРТА по результатам рейтинга преподавателей за 2004 г.; диплом за лучший доклад в рамках работы школы-семинара "Наноматериалы - 2008"  
 

 «Использование средств информационных и коммуникационных технологий при реализации образовательных программ. Интерактивные сервисы сети интернет в образовании»,  24 часа, ФГБОУ ВО РГРТУ, удостоверение ПК №0250283 от 03.06.2017 г.
Рязанский государственный радиотехнический университет - Мишустин Владислав Геннадьевич